Похоже, что освоение норм 45 нм переходит в стадию практических результатов. Компания United Microelectronics Corp. (UMC) сообщила о выпуске первых чипов статической памяти с произвольных доступом, размеры ячеек которых не превышают 0,25 мкм2. В производстве была задействована иммерсионная литография и диэлектрики со сверхмалой диэлектрической постоянной (k=2,5).
Компания UMC планирует начать опытное серийное производство по нормам 45 нм в будущем году. По сравнению с используемым сегодня 65-нм процессом, новая технология позволила вдвое уменьшить площадь ячейки памяти, состоящей из шести транзисторов. Быстродействие памяти, по оценке компании, удалось повысить на 30%.
Напомним, UMC имеет 10 фабрик по производству полупроводниковых чипов. Две из них - Fab 12A на Тайване и Fab 12i в Сингапуре – рассчитаны на 300-мм пластины.
Освоение более тонких норм ставит перед производителями множество проблем, но это не может остановить технический прогресс. В начале года о своих достижениях в этой области сообщала компания Intel, а весной и летом текущего года - и главный конкурент UMC – тайваньская компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC).
Кроме того, известно, что разработку 45-нм технологии ведут компании IBM, Texas Instrumentals, Chartered Semiconductor, Samsung Electronics, и Infineon Technologies.
Источник: UMC