Intel объявила о начале первых в отрасли массовых поставок многоуровневых (Multi-Level Cell, MLC) микросхем флэш-памяти класса NOR, созданных на базе 65-нанометровой производственной технологии, в том числе 1-гигабитных монолитных модулей для сотовых телефонов. Новая продукция основана на архитектуре Intel StrataFlash Cellular Memory (M18) и обратно совместима с серийно выпускаемыми модулями флэш-памяти Intel на базе 90-нанометровой производственной технологии. Это гарантирует OEM-производителям простой переход к использованию новых модулей.
Однокристальные модули флэш-памяти класса NOR MLC емкостью 1 гигабит ориентированы на использование в мультимедийных мобильных телефонах с мегапиксельными фотокамерами, а также поддерживающими работу с видео и высокоскоростной обмен данными.
«Плотность размещения информации на нашем 1-гигабитном модуле позволяет хранить вдвое больший объем мультимедийных файлов и выпускать еще более тонкие телефоны - оба этих фактора являются ключевыми для наших заказчиков», - заявил Дарин Биллербек (Darin Billerbeck), вице-президент и генеральный менеджер подразделения Intel Flash Products Group корпорации Intel. Согласно планам выпуска продукции Intel на базе 65-нанометровой производственной технологии, в 2007 году в составе семейства микросхем M18 появятся модули емкостью 512 Мбит, 256 Мбит и 128 Мбит.
Новые модули флэш-памяти Intel класса NOR MLC, производимые по 65-нанометровой технологии, характеризуются высокой скоростью считывания на частотах до 133 МГц и повышенной скоростью записи (до 1 Мб/с), что обеспечивает сокращение времени отклика, а также высокой емкостью, достаточной для 4-мегапиксельных цифровых фотокамер и работе с видео в формате MPEG-4. С переходом на 65-нанометровую производственную технологию скорость записи, по сравнению с предыдущим поколением флэш-памяти Intel, возросла вдвое, увеличена и продолжительность автономной работы от батарей за счет пониженного энергопотребления, напряжения питания 1,8 В и реализации режима Deep Power-Down.
Источник: Intel