Главная » Новости » 2006 » 09 » 20 20 сентября 2006

NEC Electronics освоила выпуск памяти eDRAM по нормам 55 нм

По сообщению корпорации NEC Electronics, ей удалось первой в отрасли освоить технологию производства встроенной динамической памяти с произвольным доступом (embedded DRAM, eDRAM) по нормам 55 нм. Для производства памяти используется «CMOS-совместимый» процесс UX7LSeD.

Являясь развитием запатентованной NEC технологии «металл-изолятор-металл» (MIM2), новый техпроцесс производства eDRAM, как утверждается, стал первым, сочетающим использование силицида никеля и пленки из силиката гафния. Такое сочетание позволило уменьшить ток утечки при переходе к более тонким нормам. Оптимизированный по критерию быстродействия получаемых полупроводниковых приборов, новый процесс подходит для выпуска однокристальных систем (SoC), предназначенных для широкого диапазона изделий - от мобильной коммуникационной техники, такой, как сотовые телефоны, до КПК и портативных игровых консолей.

Применение новых материалов и технологии MIM2 позволили специалистам NEC уменьшить размер ячейки eDRAM, что, в свою очередь, положительно сказалось на степени интеграции систем, включающих новую память. Важно, что при этом были сохранены преимущества совместимости с техпроцессом CMOS и параметры быстродействия памяти.

Использование блоков 55-нм памяти eDRAM плотностью 8 Мб и более в серийных изделиях должно начаться во второй половине 2007 года.

Источник: NE Asia Online

  • Теги:
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.