По сообщению корпорации NEC Electronics, ей удалось первой в отрасли освоить технологию производства встроенной динамической памяти с произвольным доступом (embedded DRAM, eDRAM) по нормам 55 нм. Для производства памяти используется «CMOS-совместимый» процесс UX7LSeD.
Являясь развитием запатентованной NEC технологии «металл-изолятор-металл» (MIM2), новый техпроцесс производства eDRAM, как утверждается, стал первым, сочетающим использование силицида никеля и пленки из силиката гафния. Такое сочетание позволило уменьшить ток утечки при переходе к более тонким нормам. Оптимизированный по критерию быстродействия получаемых полупроводниковых приборов, новый процесс подходит для выпуска однокристальных систем (SoC), предназначенных для широкого диапазона изделий - от мобильной коммуникационной техники, такой, как сотовые телефоны, до КПК и портативных игровых консолей.
Применение новых материалов и технологии MIM2 позволили специалистам NEC уменьшить размер ячейки eDRAM, что, в свою очередь, положительно сказалось на степени интеграции систем, включающих новую память. Важно, что при этом были сохранены преимущества совместимости с техпроцессом CMOS и параметры быстродействия памяти.
Использование блоков 55-нм памяти eDRAM плотностью 8 Мб и более в серийных изделиях должно начаться во второй половине 2007 года.
Источник: NE Asia Online