Главная » Новости » 2006 » 09 » 11 11 сентября 2006

Qimonda готовится к выпуску 58-нм чипов DRAM

Инженеры компании Qimonda собираются сделать на Международной конференции по схемотехническому проектированию (International Electron Devices Meeting, IEDM), которая начнётся в Сан-Франциско 11 декабря, доклад о производстве микросхем DRAM с использованием 58-нм технологического процесса.

Как мы знаем, в настоящее время более актуальными для производства чипов памяти являются 70-нм и 80-нм технологии. К примеру, в августе этого года Samsung начала серийное производство гигабитных 80-нм DRAM-чипов. Ожидается, что разработчики Qimonda представят 58-нм технологию, которую они использовали для создания 512-мегабитного DRAM-чипа. Его рабочее напряжение составляет 1,2-1,35 В, а скорость передачи данных - 3,2 Гбит/с на один вывод.

Элементами новой технологии, в частности, являются U-образная структура ячеек и щелевой конденсатор "металл-изолятор-кремний" (metal-insulator-silicon trench capacitor) с так называемым high-k диэлектриком и структурой "металл-в-хомуте" (metal-in-collar).

Мы сообщим подробности после соответствующего доклада разрабочиков. Напомним, что компания Qimonda создана на основе подразделения корпорации Infineon Technologies по выпуску памяти.

Источник: EE Times

13:07 11.09.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС на iXBT.com

Есть ли у Вас внешний аккумулятор (PowerBank)?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.