Волны, поднятые состоявшимся два месяца назад появлением первых коммерческих чипов магниторезистивной памяти (MRAM), не утихли до сих пор: месяц назад на эту тему высказалась STMicroeletronics, а на днях своими соображениями по вопросу нового поколения энергонезависимой памяти поделилась Samsung. Точнее, Samsung декларировала намерение рассказать научной общественности о прогрессе, достигнутом в области резистивной памяти из полимерных материалов, в ходе конференции IEDM (International Electron Devices Meeting), что пройдет в Сан-Франциско с 11 по 13 декабря. Как и в случае с FeRAM и OUM, что пока далеки от реального воплощения, в отличие от MRAM, сторонники альтернативных технологий все же не теряют надежды догнать компанию Motorola, а по возможности – и перегнать.
Исследователям Samsung удалось к сегодняшнему дню создать композитную структуру, состоящую из чередующихся слоев резистивного и хорошо проводящего ток полимеров (полиимида и PCBM). Эта структура является рабочим телом запоминающего устройства, выполненного по 4F2 перекрестной архитектуре и позволяет записывать и хранить информацию даже в отсутствие электрического питания.
Традиционно, исследования резистивной памяти (RRAM) были посвящены архитектурам, в которых тонкий слой двуокиси металла под воздействием электрического импульса превращался в более сложный пероксид. Предполагалось, что такие устройства смогут обеспечить высокую плотность и малое электропотребление, помимо энергонезависимости хранящейся в них информации.
Главное достижение Samsung, достаточно активно работающей над технологиями RRAM – демонстрация не только возможности создания рабочего тела из полимерных структур, но и их обработки при низкой температуре, что позволяет наносить их на полупроводниковые кристаллы микросхем, произведенные промышленным путем. В то же время, рабочая температура кремний-полимерного ЗУ Samsung достигает 300 градусов Цельсия – без потерь в производительности. Заявленное гарантированное число циклов перезаписи – 2000.