Главная » Новости » 2006 » 09 » 07 7 сентября 2006

CMOS-датчики изображения переходят на 130-нм нормы

Южнокорейская компания Dongbu Electronics объявила о завершении разработки технологического процесса для выпуска CMOS-датчиков изображения (CMOS Image Sensor, CIS) по нормам 130 нм. Как отмечает компания, освоение 130-нм норм в производстве датчиков этого типа - серьезный прогресс, который стал возможен благодаря сотрудничеству с компанией Seoul Electronics & Telecom, специализирующейся на разработке чипов CIS. Серийный выпуск чипов по новым нормам Dongbu рассчитывает начать в четвертом квартале текущего года.

Переход с используемых сейчас 180-нм норм на 130-нм позволит выпускать CIS-датчики разрешением 1,3 Мп, работающие от низковольтного источника (1,5 В). Такие датчики являются идеальным выбором для сотовых телефонов и других миниатюрных устройств, включая цифровые камеры, КПК и автомобильные сенсоры.

Производитель утверждает, что CIS-датчики, которые будут выпускаться по новому техпроцессу, помимо повышенного разрешения обеспечивают лучшую передачу полутонов и практически снимают проблему так называемого «темнового тока», которая считается наиболее сложной проблемой CIS-датчиков.

Источник: Dongbu Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
сентябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.