Главная » Новости » 2006 » 07 » 27 27 июля 2006

Samsung: 8-Гб носитель MMCplus с высокой плотностью записи

На рынке флэш-памяти в последнее время события происходят с завидной скоростью. В течение некоторого времени откладывался выпуск NAND флэш-памяти Samsung. Затем он все же произошел. После чего на пятки компании Samsung в плане технологического лидерства наступает дуэт Intel-Micron (IM Flash Technologies, IMFT), опережая ее с выпуском флэш-памяти по более тонкому техпроцессу. Сегодня же Samsung анонсирует высокоемкую флэш-память MMCplus c высокой плотностью записи.

Новая производительная память Samsung основана на последнем достижении компании - 8-Гбит микросхемах SLC NAND (single-level cell). Как отмечается, новое устройство работает в три раза быстрее, чем обычные ММС-носители. Скорость чтения составляет 40 Мб/с, записи - 25 Мб/с. Будут выпускаться карточки объемом 1 и 2 Гб.

Недавно компания сообщала о том, что вчетверо увеличила плотность своей OneNAND флэш-памяти, емкость которой возросла с 2 Гб до 8 Гб. Как отмечается, достигнуть таких успехов ей помог техпроцесс "wafer -level stack process", по которому несколько подложек объединяются в одно целое. В случае с новым 8 Гб носителем ММС схему устройства можно представить как 2 х 4-Гб (4 х 8 Гбит), т.е. 2 сложенных 4-Гб модуля, каждый из которых состоит из четырех 8-Гбит микросхем.

Новые MMCplus должны попасть на рынок уже во второй половине этого года. Как показывает практика с IMFT, медлить с выпуском подобных устройств Samsung нельзя, особенно если она хочет остаться в числе лидеров на этом быстрорастущем рынке. Цены на MMCplus пока не оглашаются.

Источник: DailyTech

10:09 27.07.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.