18 июля южнокорейская компания Hynix Semiconductor объявила о начале массового производства 512-мегабитных чипов памяти DDR2 DRAM с использованием 80-нм технологического процесса. Первая фабрика компании, освоившая новые нормы, расположена в городе Ичхон (Icheon), в Южной Корее.
По заявлению самого производителя, переход от 90-нм норм к 80-нм позволит повысить продуктивность линий Hynix на 50%.
Напомним, что первопроходцем в освоении более тонкого техпроцесса при производстве оперативной памяти является компания Samsung, которой удалось опередить своего ближайшего соперника на 5 месяцев (речь о массовом производстве, пробные партии 512-Мбит чипов Samsung, изготовленных по 70-нм технологии компанией уже сходят с конвейера). Ею же запущено массовое производство NAND по 60-нм технологии.
Однако, Hynix не теряет оптимизма. Её официальный представитель заявил, что целью компании является перехват инициативы у конкурентов уже при переводе производства DRAM на 60-нм нормы
Источник: Hynix Semiconductor