Главная » Новости » 2006 » 07 » 18 18 июля 2006

Samsung задерживается с выпуском 8-Гбит флэш-памяти типа NAND

Южнокорейская Samsung Electronics отложила начало поставок 8-Гбит компонентов флэш-памяти типа NAND, продолжая разрабатывать новую технологию, позволяющую записывать в одной ячейке 4 бита информации (4-bit-per-cell). Такие сведения приводит источник со ссылкой на компанию American Technology Research.

Выпуск «четверной» памяти может начаться в 2008 году. В настоящее время широко используется технология, позволяющая сохранять в одной ячейке памяти типа NAND два бита информации (2-bit/cell MLC NAND). C точки зрения производства оба типа памяти имеют много общего.

Samsung – не первый производитель, разрабатывающий память, способную хранить в одной ячейке четыре бита. В частности, аналогичную технологию уже анонсировали израильские компании M Systems Flash Disk Pioneers и Saifun Semiconductors. Запуск массового производства с использованием разработок M Systems Flash Disk Pioneers ожидается в начале 2007 года. В свою очередь, технологию Saifun, получившую обозначение Quad-NROM, уже лицензировали крупные участники рынка – Infineon, Spansion и другие.

Источник: EE Times

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.