Южнокорейская Samsung Electronics отложила начало поставок 8-Гбит компонентов флэш-памяти типа NAND, продолжая разрабатывать новую технологию, позволяющую записывать в одной ячейке 4 бита информации (4-bit-per-cell). Такие сведения приводит источник со ссылкой на компанию American Technology Research.
Выпуск «четверной» памяти может начаться в 2008 году. В настоящее время широко используется технология, позволяющая сохранять в одной ячейке памяти типа NAND два бита информации (2-bit/cell MLC NAND). C точки зрения производства оба типа памяти имеют много общего.
Samsung – не первый производитель, разрабатывающий память, способную хранить в одной ячейке четыре бита. В частности, аналогичную технологию уже анонсировали израильские компании M Systems Flash Disk Pioneers и Saifun Semiconductors. Запуск массового производства с использованием разработок M Systems Flash Disk Pioneers ожидается в начале 2007 года. В свою очередь, технологию Saifun, получившую обозначение Quad-NROM, уже лицензировали крупные участники рынка – Infineon, Spansion и другие.
Источник: EE Times