Корпорация Nikon, как и предполагалось ранее, вчера официально представила свой первый иммерсионный литографический сканер, использующий 193-нм источник света (эксимерный ArF-лазер) и предназначенный для производства микросхем по нормам 32 и 45 нм.
Главное – то, что NSR-S610C обеспечивает именно массовое, а не пилотное производство по 45-нм нормам, для которых заявлена способность обработки всех критически важных слоев со скоростью, достаточной для массового производства. Для 32-нм норм новинку тоже можно использовать, но, как утверждается в пресс-релизе, для производства пробных партий.
NSR-S610C использует технологию иммерсии, то есть, погружения в воду. Численное значение апертуры – 1,30. Помимо катадиоптрической оптической системы, в NSR-S610C используется технология Polano (описываемая источниками как поляризационная технология четвертого поколения). Двухэтапный подход к обработке пластин позволяет обрабатывать более ста тридцати 300-мм полупроводниковых подложек в час. Точность позиционирования – не хуже 6,5 нм.
Что ж, от себя заметим, что NSR-S610C, первый иммерсионный сканер Nikon с апертурой 1,30, может стать первой надеждой на широкое внедрение технологии – если, конечно, окажется, что его или аналоги можно будет использовать не только для 45-нм, но и 32-нм техпроцессов. Ведь, как мы уже сообщали, вопрос использования иммерсионных технологий для 45-нм производства до сих пор открыт – например, Intel, Samsung и Hynix вполне могут попытаться обойтись традиционной, «сухой» литографией, о чем компании уже заявляли. Однако, как раз на 32-нм производстве в сообщении о NSR-S610C главный акцент все же не ставится.