Нитрид галлиевая лихорадка в Кремниевой долине

ПредыдущаяСледующая
1174

Несмотря на усложнение оборудования для производства полупроводниковых микросхем из кремния с использованием все более тонких норм технологического процесса, именно кремний пока остается наиболее коммерчески выгодным материалом. Однако, так как требования к скорости работы полупроводниковых устройств некоторых отраслей, в частности, телекоммуникационной и военной, постоянно растут, некоторые производители, как отмечает источник, все чаще обращаются к нитриду галлия.

Например, известная своими разработками в области высокоэффективных светодиодов Cree на прошлой неделе приобрела за 46 млн. долларов Intrinsic Semiconductor, специализирующуюся на обработке карбид-кремниевых (SiC) и нитрид-галлиевых (GaN) подложек. Отметим, что белые светодиоды выполняются по GaN-технологии на SiC-подложке. Примерно в это же время поставщик оборудования sp3 Diamond Technologies сообщила о получении контракта на сумму в 750 тысяч долларов от агентства противоракетной обороны США на разработку GaN-устройств на алмазных подложках (SOD, silicon-on-diamond). В этом проекте, достаточно характерном для министерства обороны США, без особого шума вливающего немалые деньги в перспективную технологию, также примут участие Nitronex и TriQuint Semiconductor. Наконец, еще один обитатель калифорнийской Кремниевой долины EntreMetrix на днях создал дочернее предприятие Advanced Nitride Devices, которое будет производить полупроводниковые подложки и готовые устройства из нитрида галлия и нитрида алюминия. А со стороны вендоров готовых устройств на «нитридный фронт» выдвинулись такие компании, как Eudyna Devices, Group4, IMEC, Matsushita, RF Micro Devices, TDI, Toshiba и TriQuint.

Интерес предпоследней из упомянутых в этом списке фирм к нитриду галлия вполне определенный – именно из этого полупроводникового материала получаются высокоэффективные лазерные диоды с длиной волны в синей области видимого спектра, используемые в Blu-Ray. Также неплохо выглядят перспективы нитрида галлия и в качестве материала для дискретных устройств для УКВ и СВЧ диапазонов, где сейчас доминирует арсенид галлия (GaAs). Думаю, не нужно лишний раз напоминать, что такие устройства весьма актуальны для беспроводных коммуникаций, частоты несущих в которых постоянно растут. Утверждается, что GaN-устройства рассеивают меньше тепла, в то же время, запретная зона этого полупроводника шире, чем у GaAs. Единственным открытым вопросом остается надежность GaN-устройств, которая сейчас интенсивно проверяется, а также ограниченные пока возможности для производства – самый большой диаметр подложки сегодня достигает 4 дюймов (100 мм), тогда как обычно он и того меньше – 3 дюйма (75 мм).

6 июля 2006 Г.

15:49

Ctrl
ПредыдущаяСледующая

Все новости за сегодня

Consumer Report поставила максимальные 100 баллов кухонным плитам Samsung: Обозреватели, в частности, выделили светодиодную систему виртуального пламени, которая имитирует горение газовой конфорки

Работа камеры OnePlus 5T будет улучшена при помощи обновления ПО: К сожалению, сроки выпуска обновления пока не сообщаются

Бюджетный смартфон Uhans i8 получил систему распознавания лиц пользователей: Цена Uhans I8 составляет 130 долларов

Экшн-камера MGCool Explorer 3 будет поддерживать запись видео разрешением 4К при 30 к/с: При помощи специального чехла камера сможет выдерживать погружения на глубину до 30 м

Eluga C — первый «полноэкранный» смартфон Panasonic: Над дисплеем находится только вырез громкоговорителя, а фронтальная камера переместилась на нижнюю панель3

Смартфон 360 N6 Pro может получить второй экран и два дактилоскопических датчика: Анонс новинки состоится 28 ноября2

Производитель называет Vernee Active лучшим защищенным смартфоном на рынке: Vernee Active оснащен аккумулятором емкостью 4200 мА•ч, разъемом USB-С, модулем NFC, поддерживается 18-ваттная быстрая зарядка

По подсчетам Sigmaintell, в минувшем квартале было выпущено 530 млн панелей для смартфонов: Samsung Display, основной производитель панелей для смартфонов, опережает отрасль4

Смартфону Galaxy S9 приписывают камеру с трехслойным датчиком, способную снимать со скоростью более 1000 к/с: По оценке KB Securities, такой датчик увеличивает стоимость камеры до 60-90 долларов65

997
1318

iXBT TV

  • Обзор проекционного документ-сканера Doko BS16

  • Обзор материнской платы Z370 Aorus Gaming 7 под процессоры Coffee Lake

  • Обзор аккумуляторной дрели-шуруповерта Bosch GSR 12V-15 FC Professional

  • Заводские экзоскелеты, обновление Firefox, слишком умные наушники

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 3: стенд группы компаний РСК

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 2: стенд Intel

  • Репортаж с конференции Supercomputing 2017 (SC17), день 1: рейтинг Top500

  • Обзор кинотеатрального DLP-проектора LG PF1000U со встроенным ТВ-тюнером

  • Камера Panasonic G9, унитазный робот, игровой смартфон, кепка для водителей

  • Обзор портативной беспроводной колонки Sven PS-460

  • Обзор напольного пылесоса Tefal Silence Force 4A TW6477 с одноразовыми мешками для сбора мусора

  • Обзор сверхширокоугольного зум-объектива Canon EF 16-35mm f/2.8L III USM

1212

Календарь

июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс

Рекомендуем почитать