Главная » Новости » 2006 » 07 » 06 6 июля 2006

Нитрид галлиевая лихорадка в Кремниевой долине

Несмотря на усложнение оборудования для производства полупроводниковых микросхем из кремния с использованием все более тонких норм технологического процесса, именно кремний пока остается наиболее коммерчески выгодным материалом. Однако, так как требования к скорости работы полупроводниковых устройств некоторых отраслей, в частности, телекоммуникационной и военной, постоянно растут, некоторые производители, как отмечает источник, все чаще обращаются к нитриду галлия.

Например, известная своими разработками в области высокоэффективных светодиодов Cree на прошлой неделе приобрела за 46 млн. долларов Intrinsic Semiconductor, специализирующуюся на обработке карбид-кремниевых (SiC) и нитрид-галлиевых (GaN) подложек. Отметим, что белые светодиоды выполняются по GaN-технологии на SiC-подложке. Примерно в это же время поставщик оборудования sp3 Diamond Technologies сообщила о получении контракта на сумму в 750 тысяч долларов от агентства противоракетной обороны США на разработку GaN-устройств на алмазных подложках (SOD, silicon-on-diamond). В этом проекте, достаточно характерном для министерства обороны США, без особого шума вливающего немалые деньги в перспективную технологию, также примут участие Nitronex и TriQuint Semiconductor. Наконец, еще один обитатель калифорнийской Кремниевой долины EntreMetrix на днях создал дочернее предприятие Advanced Nitride Devices, которое будет производить полупроводниковые подложки и готовые устройства из нитрида галлия и нитрида алюминия. А со стороны вендоров готовых устройств на «нитридный фронт» выдвинулись такие компании, как Eudyna Devices, Group4, IMEC, Matsushita, RF Micro Devices, TDI, Toshiba и TriQuint.

Интерес предпоследней из упомянутых в этом списке фирм к нитриду галлия вполне определенный – именно из этого полупроводникового материала получаются высокоэффективные лазерные диоды с длиной волны в синей области видимого спектра, используемые в Blu-Ray. Также неплохо выглядят перспективы нитрида галлия и в качестве материала для дискретных устройств для УКВ и СВЧ диапазонов, где сейчас доминирует арсенид галлия (GaAs). Думаю, не нужно лишний раз напоминать, что такие устройства весьма актуальны для беспроводных коммуникаций, частоты несущих в которых постоянно растут. Утверждается, что GaN-устройства рассеивают меньше тепла, в то же время, запретная зона этого полупроводника шире, чем у GaAs. Единственным открытым вопросом остается надежность GaN-устройств, которая сейчас интенсивно проверяется, а также ограниченные пока возможности для производства – самый большой диаметр подложки сегодня достигает 4 дюймов (100 мм), тогда как обычно он и того меньше – 3 дюйма (75 мм).

Источник: EE Times

15:49 06.07.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
июль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.