Главная » Новости » 2006 » 03 » 30 30 марта 2006

Seiko Epson создает первую в мире полимерную FeRAM

Корпорация Seiko Epson сообщает о создании органической сегнетоэлектрической памяти (FeRAM), выполненной на гибкой полимерной подложке. Хотя об успешных разработках в области FeRAM уже сообщили достаточно много компаний, Seiko Epson – первая, кто выполнил её на гибкой подложке.



Однотранзисторные (1Т) ячейки памяти Seiko Epson выполнены по технологическому процессу, использующему несколько шагов:

  • 1. сначала методом напыления в вакууме на поликарбонатную пленку наносятся электроды истока и стока из золота/меди
  • 2. наносится слой органического полупроводника F8T2
  • 3. наносится слой сегнетоэлектрика P (VDF/TrFE) (сополимер фторида винилидена и фтороэтилена)
  • 4. создается серебряный электрод затвора методом струйной печати с использованием «чернил», содержащих серебро

Площадь показанного на рисунке устройства, содержащего девять сегнетоэлектрических ЗУ, составляет 15 кв. мм. Ширина затвора составляет 300 мкм, длина – 25, 35 или 45 мкм.

Созданные на полимерной основе однотранзисторные сегнетоэлектрические ячейки памяти работоспособны при напряжении записи +/- 15 В. Напряжение записи могло бы быть и выше – при толщине изолирующего слоя 0,78 мкм оно составило 75 В, поэтому его толщина была уменьшена до 0,13 мкм. Дальнейшее уменьшение оказалось невозможным из-за ухудшения гистерезисных характеристик, которые, собственно, и лежат в основе ЗУ. Подвижность носителей заряда является достаточно высокой – 0,00011 кв. см/(В*с).

16:35 30.03.2006
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



март
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2006

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.