Intel полагает, что современная технология флэш-памяти продержится до конца десятилетия, отодвигая потребность в "универсальной памяти" на 2010 год. Источник приводит такую оценку со ссылкой на Грега Комото (Greg Komoto), руководителя по стратегическому планированию подразделения Intel, специализирующегося на выпуске флэш-памяти.
Выступая на форуме разработчиков (Intel Developer Forum), Комото сказал, что, по мнению Intel, память, построенная на переключателях Овшинского (на аморфных халькогенидных плёнках), известная также под аббревиатурой OUM (ovonic unified memory) или под названием "память с изменением фазового состояния" (phase-change memory), остается наиболее перспективной энергонезависимой памятью. В определенном отношении OUM является более привлекательной, чем магнитная (MRAM) или ферроэлектрическая (FeRAM) память.
Напомним, Intel ведет исследования в области OUM совместно с компанией Ovonyx, начиная с 2000 года. Есть и другая крупная компания, лицензировавшая наработки Ovonyx в этой области. Речь идет о STMicroelectronics. Интересно, что не далее, чем в прошлом году, компанию "поклонников OUM" пополнили такие известные производители памяти, как японская компания Elpida Memory и корейская Samsung Electronics.
Сильной стороной OUM является потенциал миниатюризации - по утверждению Комото, исследования Intel показывают, что технология OUM может быть использована в техпроцессах с нормами до 15 нм. Основным препятствием на пути внедрения OUM пока остается высокая стоимость, не позволяющая новой памяти конкурировать с существующей.
Источник: EE Times