Похоже, что история с 157-нм литографией, за которую долгое время радела компания Intel, а потом отказалась от ее внедрения в производство, повторяется и с ультрафиолетовой (EUV) технологии. Вследствие вероятной недоступности в срок инструментов и расходных материалов, Intel отказалась от планов внедрения EUV-литографии в производство по 32-нм нормам. Вместо этого, для норм 32 нм компания продолжит использовать оптическую литографию (хотя, строго говоря, длина волны 193 нм соответствует ближнему ультрафиолету, впрочем, в EUV используются куда более коротковолновые источники – 13 нм).
Источник сообщает, что ASML будет готова поставить первое EUV-оборудование уже в этом году, однако его, равно как и ожидающееся в следующем году решение от Nikon, можно будет использовать только для создания пробных образцов. А такая ситуация Intel не устраивает – компании хотелось бы к 2007 году получить в свое распоряжение инструменты, которые можно было бы использовать в массовом производстве.
Впрочем, в Intel не склонны драматизировать ситуацию, понимая сложность стоящей перед разработчиками литографического оборудования задачи. К тому же, в отличие от 157-нм литографии ситуация, быть может, еще не так безнадежна: несмотря на упомянутые сегодня трудности, в Intel не теряют надежды попробовать EUV–литографию в создании пробных партий 32-нм чипов. Что будет использовано для норм 22 нм, пока еще не решено, и перспективы EUV рассматриваются вместе с шансами на внедрение 193-нм оптической литографии, наряду с иммерсионными технологиями. Сейчас, для производства с соблюдением норм 65-нм технологического процесса, и в ближайшем будущем – для 45-нм норм, Intel использует «сухие» 193-нм инструменты.