В минувшем месяце, когда Intel объявляла об успешном создании прототипа SRAM с соблюдением норм 0,45-нм техпроцесса, на поверхность всплыла очень важная деталь – микропроцессорный гигант по-прежнему использует «сухую» 193-нм литографию, отказываясь от иммерсии. Более того, подобно тому, как несколько лет назад Intel поставила крест на 157-нм литографии, компания готова отказаться и от иммерсионной технологии, готовясь к 2009 году начать внедрение EUV-литографии, где подразумевается использование источников жесткого ультрафиолетового излучения.
В качестве еще одной возможной альтернативы EUVL, кроме импринт-литографии, может выступить EWL (литография с использованием исчезающее малых величин излучения), исследование которой ведется в Калифорнийском Технологическом Институте, Университете Калифорнии в Беркли и других научно-исследовательских группах. Некоторые еще называют EWL, работающую в ближнепольной зоне, «контактной литографией».
Как ожидается, в ходе посвященной микролитографии конференции SPIE, которая пройдет с 19 по 24 февраля, Рочестерский Технологический Институт (RIT) представит результаты работы, в ходе которой при помощи EWL удалось создать рисунок размером 26 нм. Как сообщают сотрудники RIT, это существенно лучше, чем удалось добиться в Калифорнийском Технологическом и в Беркли. Но самое главное – RIT сумела создать изображение без контакта с подложкой (до сих пор EWL подразумевала создание исчезающее малых полей под контактной маской), что позволяет рассматривать технологию как дальнейшее расширение оптической литографии. Изображение от последнего элемента оптической системы проецируется на подложку через среду с показателем преломления ниже, чем численное значение апертуры системы построения изображения. Причем численное значение апертуры достигло 1,85, что почти в два раза больше, чем у коммерчески доступных иммерсионных сканеров. Таким образом, иерархия оптических литографических технологий может быть выстроена следующим образом: обычная литография – иммерсионная литография (численное значение апертуры от 1 до 1,65 – предельного теоретического значения) – EWL (численное значение апертуры более 1,65).
Однако, несмотря на перспективность новой технологии в техническом плане, есть определенные сомнения в ее применимости в экономическом плане – крупнейший покупатель литографического оборудования, по сути, отказался приобретать как 157-нм, так и 193-нм иммерсионные инструменты. Без сомнения, разработчики литографических инструментов найдут себе покупателей, в частности, IBM и AMD, однако, в случае с EWL ситуация может стать еще более пикантной – в разработке RIT используются оптические элементы из сапфира (показатель преломления на длине волны 193 нм - 1,92), что вполне нормально для лабораторного устройства, но вряд ли будет хорошо для промышленности.