Freescale сообщила о создании полевого транзистора структуры МОП (металл-окисел-полупроводник) или, сокращенно, MOSFET; с использованием арсенида галлия. Такие транзисторы компания планирует использовать в высокочастотных усилителях мощности и быстродействующих полупроводниковых аналогово-цифровых преобразователях.
Подавляющее большинство современных цифровых микросхем производятся как раз с использованием полевых транзисторов МОП или КМОП структуры, только из более доступного материала, кремния. МОП полевые транзисторы или MOSFET также являются основой для разработок, призванных увеличить быстродействие кремниевых чипов: с трехмерным («плавниковым») затвором или тройным стоком.
Арсенид-галлиевые транзисторы являются более перспективными в плане быстродействия (предельные частоты до 20 раз выше кремниевых аналогов), однако, по словам Freescale, до сих пор из этого материала MOSFET-транзисторы создавать не удавалось, а быстродействующие активные элементы и интегральные схемы традиционно выполнялись по технологии планарных биполярных транзисторов.
Главной трудностью являлось нанесение диоксида кремния или какого-либо иного изолирующего материала в районе затвора на арсенид-галлиевый исток. Freescale удалось подобрать такой диэлектрик, который равномерно «садится» на арсенид-галлиевую основу. Что это за материал, источник не сообщает.
Freescale предполагает, что на первых порах MOSFET-транзисторы будут использованы в узком кругу специализированных устройств, дополняющих традиционные кремниевые чипы. И хотя демонстрация возможности использования опробованного промышленностью подхода, скорее всего, станет еще одним «кирпичиком» для создания будущих высокопроизводительных микросхем, на их пути в массы стоит серьезное препятствие – гораздо более высокая, чем у кремния, себестоимость.