Компания Innovative Silicon (ISi), разработавшая память Z-RAM, сообщила, что новинка успешно прошла проверку "в кремнии". Для изготовления пробных изделий был использован 90-нм процесс "кремний на изоляторе" (silicon-on-insulator, SOI) на двух производственных базах. Разработчик планирует вскоре продемонстрировать элемент памяти Z-RAM (для которого используется всего один транзистор и ни одного конденсатора), выполненный по нормам 65-нм.
По мнению руководителя компании, Марка-Эрика Джонса (Mark-Eric Jones), наступила "точка перегиба кривой", когда проверка разработки на практике выводит ее на новый уровень. Вкупе с соглашением, заключенным недавно между ISi и AMD, она "показывает ее значение для ведущих производителей полупроводников".
Напомним, основное преимущество новой памяти - повышенная плотность. Предполагается, что она позволит в несколько раз увеличить объем кэш-памяти процессоров, уменьшить площадь кристалла, увеличив, таким образом, выход продукции из одной пластины и снизив стоимость конечных изделий. Для AMD, с ее грандиозными планами по выпуску микропроцессоров, освоение новинки было бы очень полезно.
Примечательно, что показатель количества сбойных элементов в новой памяти оказался на порядок лучше, чем у широко используемой сейчас встраиваемой памяти SRAM и сопоставим с лучшими показателями встраиваемой памяти DRAM. Речь идет о так называемых "мягких сбоях" (soft error). Дело в том, что полупроводниковая память подвержена ошибкам, вызываемым радиацией. На земной поверхности доминирующими источниками радиации являются космические лучи и альфа-излучение от радиоизотопных примесей в корпусах микросхем и других материалах. Когда происходит ошибка, ячейка памяти принимает противоположное значение: "1" вместо "0" и наоборот. "Мягкая ошибка" не свидетельствует о повреждении памяти. Она может быть исправлена, как только в ячейку будет записано правильное значение. Процент таких ошибок обозначают SER (Soft Error Rate). Если значение SER достаточно высоко, ошибки могут повлиять на надежность системы.
Источник: Innovative Silicon