Главная » Новости » 2005 » 12 » 12 12 декабря 2005

Toshiba выпустила 128-Мбит чип бесконденсаторной DRAM

Корпорация Toshiba сообщает о том, что ей удалось создать бесконденсаторную оперативную память (DRAM) по технологии «кремний-на-изоляторе» (SOI). Созданный компанией 128-Мбит чип успешно прошел испытания.

О том, что в недрах компании ведется разработка бесконденсаторной DRAM, Toshiba сообщала в прошлом феврале, в ходе конференции ISSCC (International Solid State Circuits Conference). Чуть меньше года спустя, в ходе IEDM (International Electron Devices Meeting), Toshiba сообщает уже об успешном создании действующего прототипа, готового к внедрению в производство.

В бесконденсаторной памяти Toshiba используется эффект плавающего напряжения («плавающего тела» или floating body), возникающего под затвором полевого транзистора, выполненного на диэлектрической пленке. К слову сказать, кроме Toshiba, в направлении использования этого эффекта, являющегося паразитным для быстродействующих транзисторов, работают также Innovative Silicon и Renesas.

128-Мбит чип Toshiba произведен по технологии КМОП (CMOS) с соблюдением норм 90-нм техпроцесса и с использованием шести слоев внутренних металлических соединений. Площадь ячейки – 0,17 мкм, что примерно вдвое меньше размеров ячейки 90-нм DRAM. Число «сбойных» бит на 32 Мбит не превышает 32.

Источник: EE Times

13:53 12.12.2005
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.