Как мы уже сообщали, NEC недавно рассказала о готовности начать производство полупроводниковых микросхем с соблюдением норм 55-нм техпроцесса. Однако, в арсенале компании есть и технологии, которые можно успешно использовать и для производства с соблюдением 45-нм норм. Речь идет о технологиях внутренних соединений, если точнее – о структуре ASIS (application specific interconnect structure), позволяющей тонкую настройку многоуровневой КМОП-микросхемы под конкретные задачи. Новая технология позволяет улучшить скорость работы и снизить энергопотребление (впрочем, надо полагать, что все эти бонусы обусловлены использованием 45-нм технологии).
В пресс-релизе компании отмечаются следующие преимущества 45-нм ASIS:
- Возможность создания внутренних соединений двойной или переменной толщины для высокопроизводительных и уменьшенной толщины для экономичных устройств
- Оптимизированная величина и количество усилителей (повторителей)
- Высокая устойчивость к возможной миграции электронов, достигаемая нанесением меди и алюминия или кобальт-вольфрам-фосфида (CoWP)
Поскольку в производстве современных и будущих микропроцессоров приходится учитывать локальные девиации сигналов, технологии, способные оптимизировать структуру внутренних соединений, скорее всего, будут востребованы в микропроцессорах, а также в системах-на-чипе (SoC) и СБИС для мобильных телефонов и автомобильной электроники.
Презентация 45-нм ASIS состоялась в рамках конференции IEDM (International Electron Devices Meeting), прошедшей с 5 по 7 декабря в Вашингтоне, округ Колумбия.