Компания Freescale Semiconductor продемонстрировала новый транзистор, архитектура которого позволяет преодолеть многие ограничения существующей технологии CMOS.
Изобретение получило название "полевой транзистор с каналом в виде перевернутого Т" (Inverted T Channel-Field Effect Transistor, ITFET). Как утверждается, впервые в отрасли удалось объединить вертикальные и планарные структуры в одном транзисторе. Внедрение технологии обещает появление целого семейства более компактных и производительных полупроводниковых приборов, потребляющих меньше энергии. Демонстрационные образцы ITFET были изготовлены по нормам 90 нм.
Напомним, традиционные приборы, изготавливаемые по технологии CMOS, содержат транзисторы, сформированные на поверхности кремниевого кристалла из горизонтально ориентированных, или планарных структур. В последние годы прогресс привел к появлению "вертикальных транзисторов", в которых использовано третье измерение. Их сильной стороной является уменьшенный ток утечки и способность работать с большими токами нагрузки (следствие наличия нескольких затворов). Вертикальные транзисторы позволили повысить плотность упаковки и снизить потребляемую мощность микросхем. Однако их использование сопряжено с определенными трудностями в проектировании и производстве. В свою очередь, в транзисторах Freescale ITFET объединены преимущества двух предшествующих технологий.
Источник: Freescale Semiconductor