Главная » Новости » 2005 » 11 » 11 11 ноября 2005

Samsung начинает массовый выпуск Mobile DRAM 512 Мб по нормам 90 нм

Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства памяти плотностью 512 Мб для мобильных применений (Mobile DRAM) с соблюдением норм технологического процесса 90 нм. По утверждению компании, это первая "мобильная" память, выпускаемая по таким нормам. Разработка была анонсирована в январе текущего года.

Требования к скорости и объему памяти со стороны телефонов и другой портативной электроники возрастают под влиянием средств трехмерной графики, все чаще реализуемых в таких устройствах. Новая память Samsung рассчитана на подключение к 32-разрядной шине данных и способна обеспечить скорость передачи данных на уровне 1,3 Гб/с.

Объединением двух новых чипов в "двухэтажную" конструкцию, Samsung предоставляет разработчикам возможность добавления в мобильное устройство целого гигабайта памяти установкой всего лишь одной микросхемы.

Как утверждает производитель, новая память имеет еще одно важное преимущество перед традиционно используемой памятью SDRAM - примерно в два раза меньшее энергопотребление.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.