Главная » Новости » 2005 » 10 » 13 13 октября 2005

Samsung выпускает 512-мегабитную память DDR2 по нормам 70 нм

Компания Samsung Electronics сообщила о готовности к выпуску первой в мире 512-мегабитной памяти DDR2 SDRAM по нормам 70 нм. Как утверждает компания, это минимальные нормы, используемые сегодня при производстве DRAM.

Переход на 70 нм является логическим продолжением производства по нормам 80 и 90 нм, используемого при Samsung для выпуска большинства чипов DRAM на данный момент. Читая технологические новости, мы привыкаем к мельканию цифр. Казалось бы - всего 10-20 нм, очередная ступенька, о чем трубить? На самом деле, переход от 90 к 70 нм позволяет, как минимум, удвоить количество чипов, изготавливаемых из одной пластины кремния.

Переход на новые нормы сопряжен с освоением нескольких нововведений в конструкции DRAM: технологии формирования емкостей Metal-Insulator-Metal (MIM) и трехмерной архитектуры транзисторов, известной под обозначением "Sphere-shaped Recess Channel Array Transistor" (S-RACT).

Планы Samsung включают выпуск по нормам 70 нм памяти объемом 1 и 2 Гб во второй половине 2006 года.

Источник: Samsung Electronics

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.