Главная » Новости » 2005 » 10 » 12 12 октября 2005

Inphi соединяет DDR2 и последовательную шину

Компания Inphi анонсировала выход модуля FBDIMM IN581AMB. По утверждению изготовителя, это - первое в отрасли устройство, обеспечивающее высокоскоростной интерфейс между последовательной шиной и памятью DDR2 SDRAM в полном соответствии со спецификациями JEDEC AMB. Предполагается, что рост производительности, обеспечиваемый прямым последовательным соединением между контроллером и модулями памяти - ключевым признаком архитектуры канала FBDIMM, позволит поставщикам серверных модулей памяти и изготовителям DRAM повысить скорость работы своих изделий при одновременном снижении стоимости.

Пополнившее семейство ExacTik устройство IN581AMB характеризуется коротким временем задержки, пониженным энергопотреблением и малым размером кристалла. По площади кристалла предложение Inphi меньше всех существующих в данный момент на рынке: всего лишь 5 х 5 мм, что на 24-65% меньше, чем у конкурентов. Как известно, размер кристалла непосредственно влияет на стоимость конечного изделия, выпускаемого OEM-производителями. Что касается энергопотребления, IN581AMB опережает свои аналоги на 15-20%.

Напомним, интерфейс AMB обслуживает запросы канала FBDIMM и памяти, поступающие в направлении чипов DIMM и обратно. По сравнению с существующей технологией буферизованных DIMM, FBDIMM позволяет увеличить объем памяти и полосу пропускания в четыре раза. Применение низкоуровневых сигналов и уменьшение количества выводов на канал (69 вместо 240) также является преимуществом.

Модули IN581AMB уже доступны для ознакомления по цене около 23 долларов за штуку.

Источник: Inphi Corporation

Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.