На проходящей в эти дни в Гонолулу конференции SOI Conference 2005, посвященной проблемам полупроводникового производства, компания Oki Electric Industry анонсировала разработку новой структуры полупроводникового прибора, изготавливаемого по технологии SOI(Silicon on Insulator)-CMOS, обеспечивающей сверхмалый ток утечки. Сохранив скоростные показатели своих предшественников, этот транзистор демонстрирует на 90% сниженный ток утечки.
Разработка Oki обеспечивает следующие преимущества:
1. В обычных приборах, выполненных по технологии SOI, трудно препятствовать току утечки. Используя нелегированную, беспримесную структуру, ток утечки удалось существенно уменьшить.
2. В случаях, когда исток/сток и затвор перекрываются, паразитная емкость перекрывающихся областей снижает скорость работы транзистора. Используя структуру без перекрытия, разработчики смогли уменьшить паразитную емкость и увеличить скорость.
Чтобы повысить пороговое напряжение для уменьшения тока утечки, обычно используют затворы не из поликристаллического кремния, а, например, металла. Но это приводит к усложнению процесса и росту стоимости. В приборах новой структуры использованы затворы типа P+ для NMOS и типа N+ для PMOS, что, как утверждается, увеличивает совместимость с обычным технологическим процессом и позволяет снизить стоимость.
Источник: Oki Electric Industry