Главная » Новости » 2005 » 10 » 07 7 октября 2005

Oki Electric снижает ток утечки транзитора на 90%

На проходящей в эти дни в Гонолулу конференции SOI Conference 2005, посвященной проблемам полупроводникового производства, компания Oki Electric Industry анонсировала разработку новой структуры полупроводникового прибора, изготавливаемого по технологии SOI(Silicon on Insulator)-CMOS, обеспечивающей сверхмалый ток утечки. Сохранив скоростные показатели своих предшественников, этот транзистор демонстрирует на 90% сниженный ток утечки.

Разработка Oki обеспечивает следующие преимущества:

1. В обычных приборах, выполненных по технологии SOI, трудно препятствовать току утечки. Используя нелегированную, беспримесную структуру, ток утечки удалось существенно уменьшить.

2. В случаях, когда исток/сток и затвор перекрываются, паразитная емкость перекрывающихся областей снижает скорость работы транзистора. Используя структуру без перекрытия, разработчики смогли уменьшить паразитную емкость и увеличить скорость.

Чтобы повысить пороговое напряжение для уменьшения тока утечки, обычно используют затворы не из поликристаллического кремния, а, например, металла. Но это приводит к усложнению процесса и росту стоимости. В приборах новой структуры использованы затворы типа P+ для NMOS и типа N+ для PMOS, что, как утверждается, увеличивает совместимость с обычным технологическим процессом и позволяет снизить стоимость.

Источник: Oki Electric Industry

  • Теги:
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.