Специалисты Sharp Laboratories Europe (SLE) изготовили прототип полупроводникового сине-фиолетового лазера на базе GaN. Для выращивания кристалла была использована технология молекулярно-пучковой эпитаксии (molecular beam epitaxy, MBE). Как сообщается, впервые в мире готовый элемент, выполненный по этой технологии, обеспечил непрерывную работу при комнатной температуре. Ранее, в 2004 году, SLE удалось также впервые в мире продемонстрировать работу при комнатной температуре сине-фиолетового полупроводникового MBE-лазера в импульсном режиме.
Основная длина волны излучения опытного образца — 405 нм, пороговый ток — 125 мА, а пороговое напряжение при комнатной температуре составляет +8,6 В. К сожалению, долговечность элемента пока очень мала — около 3 минут непрерывного излучения на уровне не более 1 мВт. Причина ограниченного ресурса заключается в перегреве. В SLE планируют увеличить срок службы лазера, прежде всего, сокращая потребление мощности, которое, на данный момент, составляет около 1 Вт.
Sharp намеревается довести идею до коммерческого применения. Напомним, что сине-фиолетовый лазер предназначен, в частности, для использования в оптических накопителях нового поколения. По сравнению с красным лазером, применяемым для записи и чтения CD и DVD, он имеет меньшую длину волны, что позволяет повысить плотность хранения данных.
Источник: SLE