Как сообщает источник, ученые института Kavli Institute of Nanoscience совместно с Philips Research создали сверхпроводящий транзистор на базе наноскопических проводников из арсенида галлия. Помимо чисто практической ценности – использования в качестве элементной базы электронных устройств нового поколения, такие транзисторы также позволят исследовать фундаментальные явления квантового переноса.
Кроме того, что и исток, и сток, и затвор транзистора являются сверхпроводящими, и заряд переносится не электронами, а Куперовскими парами (два электрона образуют «конгломерат» с нулевым суммарным спином), новый прибор ничем не отличается от обычного полевого транзистора, где ток канала исток-сток контролируется напряжением на затворе.
Жаль только, что Philips не сообщает, при какой температуре их транзистор проявляет сверхпроводящие свойства – ключевым препятствием, стоящим на пути внедрения сверхпроводящих технологий в массовую электронику является очень низкая температура образования Куперовских пар. Известно, что устройства Philips содержат наноскопические проводники из арсенида галлия, а контакты выполнены из алюминия и, как утверждает компания, легко могут быть воспроизведены.
Для создания нанопроводников из арсенида галлия использовались наночастицы золота диаметром от 10 до 100 нм, которые впоследствии испарялись при высокой температуре. Длина проводников зависит от длительности выращивания и достигает нескольких десятков микрон.
Используя технологии выращивания нанопроводников арсенид-галлия, Philips планирует в дальнейшем создать на их базе сверхпроводящие квантовые интерферометрические устройства (SQUID) и сверхпроводящие светоизлучающие диоды, которые в перспективе можно будет использовать в системах квантовой криптографии.