Главная » Новости » 2005 » 06 » 28 28 июня 2005

Renesas и Hitachi увеличивают скорость записи AG-AND флэш-памяти в 20 раз

Как сообщает источник, совместными усилиями Renesas и Hitachi удалось создать две новые технологии программирования AG-AND (Assist Gate-AND) флэш-памяти с многоуровневыми ячейками, позволяющие достичь высокой скорости записи и чтения.





Главным достижением новых технологий является то, что время программирования (изюминка AG-AND – использование «горячих» электронов для записи логической «1») новых чипов снижено с 2 мкс до 100 нс, то есть, в 20 раз. Скорость записи в предыдущем поколении AG-AND достигает 10 Мбит/с, первые результаты тестирования говорят о её приросте на 20%, но, скорее всего, потенциал AG-AND на этом еще не исчерпан и можно ожидать сообщений о дальнешем увеличении этого показателя.

Как ожидается, новые технологии будут использованы в 4-Гбит микросхемах AG-AND флэш-памяти, которые производятся с соблюдением норм 90-нм техпроцесса.

Источник: Nikkei

16:36 28.06.2005
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.