Всего две недели назад мы сообщали об открытии Samsung новой производственной линии для выпуска микросхем с соблюдением норм 70-нм техпроцесса, а сегодня компания уже официально объявила о начале массового выпуска по новым нормам чипов NAND флэш-памяти емкостью 4 Гбит.
Любопытно, что, как не устают подчеркивать специалисты по связям с общественностью Samsung, компания опережает закон Мура на 50%, удваивая емкость микросхем NAND флэш-памяти каждые 12 месяцев. Так, если 4-Гбит чип был впервые представлен в 2003 году, а 8-Гбит – в 2004, причем для его создания пришлось использовать технологии MCP (multi-chip package), то в этом году компании придется продемонстрировать микросхему емкостью 16 Гбит. Кстати, внедрение в производство 70-нм норм важно не только для увеличения плотности флэш-памяти (и создания возможности уместить 16 Гбит в MCP-корпус), но и для снижения себестоимости чипов (поскольку на одну 300-мм подложку их уменьшается больше, чем, скажем, выполненных по 90-нм нормам), что в перспективе придаст конкурентоспособности флэш-дискам ее же производства.
Теперь пару слов о технических деталях, предоставленных Samsung. Площадь ячейки флэш-памяти, выполненной по 70-нм нормам, составляет 0,025 кв. мкм. В производстве используются коротковолновые источники света на основе фторида аргона (ArF), скорость записи 4-Гб чипов составляет 16 Мб/с, что примерно на 50% выше, чем у 2-Гб микросхем, производящихся с соблюдением 90-нм норм.