Главная » Новости » 2005 » 06 » 06 6 июня 2005

Honeywell опубликовала спецификации 1-Мбит MRAM

Honeywell International опубликовала спецификации своего первого 1-Мбит чипа MRAM (магниторезистивной оперативной памяти), устойчивого к воздействию внешних электромагнитных излучений. Утверждается, что этот чип готов к запуску в массовое производство.

MRAM, также как и FRAM (или FeRAM – ферроэлектрическая память), является одной из наиболее успешных разработок новых типов быстрой энергонезависимой памяти. Кроме Honeywell, позиционирующей свои чипы для использования в космических приборах, об успешной разработке MRAM уже сообщали Freescale, Renesas и Cypress.

1-Мбит чип MRAM, обладающей архитектурой 16х64 Кб, выпускается с соблюдением норм 0,15-мкм технологического процесса по технологии SOI (silicon-on-insulator). Поддерживается напряжение питания 3,3 В и 1,8 В.

Источник: Parasound

17:15 06.06.2005
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



июнь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.