Honeywell International опубликовала спецификации своего первого 1-Мбит чипа MRAM (магниторезистивной оперативной памяти), устойчивого к воздействию внешних электромагнитных излучений. Утверждается, что этот чип готов к запуску в массовое производство.
MRAM, также как и FRAM (или FeRAM – ферроэлектрическая память), является одной из наиболее успешных разработок новых типов быстрой энергонезависимой памяти. Кроме Honeywell, позиционирующей свои чипы для использования в космических приборах, об успешной разработке MRAM уже сообщали Freescale, Renesas и Cypress.
1-Мбит чип MRAM, обладающей архитектурой 16х64 Кб, выпускается с соблюдением норм 0,15-мкм технологического процесса по технологии SOI (silicon-on-insulator). Поддерживается напряжение питания 3,3 В и 1,8 В.