Корпорация Ramtron International начала производство микросхемы FM20L08, которая представляет собой энергонезависимую сегнетоэлектрическую память с произвольным доступом (ferroelectric random access memory, FRAM) объемом 1 Мбит, выполненную в 32-контактном тонком корпусе TSOP.
FM20L08 обеспечивает неограниченное количество циклов чтения и записи, а также максимальную плотность хранения данных по сравнению с другими продуктами Ramtron. Изделие позиционируется, как перспективная замена для статической памяти с произвольным доступом (SRAM) в системах сбора и хранения данных, работающих в условиях нестабильного питания, когда его напряжение может измениться или вовсе пропасть. Например, в автомобильной телематике, в бытовых и промышленных приборах.
Основное улучшение по сравнению с существующей линией изделий FRAM заключается в том, что FM20L08 полностью совместима с SRAM. Реализована поддержка синхронизации с обнаружением смены адреса (ATM), позволяющая изменять адреса, оставляя чип в активном состоянии. Эти особенности FM20L08 очень упрощают использование энергонезависимого ОЗУ проектировщиками.
Именно простота применения была одной из главных целей Ramtron при проектировании FM20L08. В дополнение к тому, что новая память работает, как обычная SRAM, микросхема оснащена встроенным монитором напряжения, который позволяет защитить данные, запретив к ним доступ, если напряжение питания упало ниже определенного порога. Кроме того, FM20L08 обеспечивает защиту от записи, управляемую программным способом. Память разделена на восемь однородных блоков, каждый из которых индивидуально может быть защищен от записи без модификации аппаратной части. Для работы с современными быстродействующими микропроцессорами в FM20L08 реализован быстрый страничный режим, обеспечивающий групповое чтение и запись по 4 байта с более высокой скоростью шины (до 33 МГц), чем у обычной памяти с произвольным доступом.
Энергонезависимая память FRAM сохраняет данные после того, как питание отключено. По сравнению со статической памятью, подпитываемой от батарей (BBSRAM), FRAM имеет преимущества в смысле надежности, функциональности и простоты применения. Возможность быстрой записи и неограниченное число циклов записи обеспечивает FRAM превосходство над другими типами энергонезависимой памяти, например, над памятью только для чтения с электрическим стиранием (EEPROM) или флэш-памятью.
Микросхема FM20L08 предназначена для поверхностного монтажа, имеет логическую организацию 128K x 8, обеспечивает время доступа 60 нс. Память рассчитана на напряжение питания 3,3 В. Цена одного корпуса FM20L08 — 13,65 доллара в партии из 10000 штук.
Источник: Ramtron