Корейская компания объявила о запуске в эксплуатацию на месяц ранее планируемого срока линии по производству NAND флэш-памяти Line 14, которая будет выпускать 2 Гбит чипы по 90 нм техпроцессу и впервые 4 Гбит чипы по 70 нм техпроцессу на 300 мм пластинах. Это первое производство флэш-памяти по новому стандарту 70 нм. Первоначальная производительность линии – 4 тыс. пластин в месяц, к концу года планируется запуск до 15 тыс. пластин ежемесячно. Более тонкий техпроцесс основан на аргон-фторидной литографии (более подробно не сообщается об оборудовании).
Кроме уменьшения площади микросхем, произведённых по технологии 70 нм, Samsung сообщает об ускорении записи данных на 50% в сравнении с её 90 нм 2 Гбит схемами, до 16 Мб/с, что позволит в реальном времени записывать видео высокого разрешения. Также при массовом производстве по новому техпроцессу станет возможно дальнейшее заметное снижение цен на микросхемы памяти. Размер ячейки памяти, произведённой по новой технологии, составляет всего 0,025 кв. мкм.
По данным Gartner Dataquest, 4 Гбит NAND микросхемы составят по итогам этого года 30% от 8 млрд. долл. рынка флэш-памяти этого стандарта.
Кроме того, компания напомнила, что каждый год с 1999 ёмкость выпускаемых ею микросхем флэш-памяти удваивалась: 256 Мбит в 1999, 512 в 2000, 1 Гбит в 2001, 2 в 2002, 4 в 2003 и 8 в 2004 г., так что логично ожидать представления в этом году 16 Гбит чипа.