Компания Samsung Electronics, лидирующая в производстве компонент памяти, объявила о выпуске промышленных образцов 512-Мбитных элементов XDR (eXtreme Data Rate) DRAM — быстродействующей памяти для мультимедийных приложений. Производство осуществляется по нормам 90 нм.
Каждую секунду шестнадцатиразрядный канал динамической памяти Samsung XDR 512 Мбит способен передавать до 9,6 гигабайт данных. По частоте, на которой идет эффективная передача данных, он в 12 раз опережает память DDR400 (4,8 Ггц против 400 Mгц). Высокая скорость очерчивает круг первоочередного применения новой памяти — это устройства, в которых выполняется интенсивная обработка цифровых изображений и работа с трехмерной графикой: игровые приставки, цифровые телевизоры, рабочие станции высокого класса. В частности, память XDR производства Samsung будет использоваться в игровой консоли нового поколения — Playstation 3, недавно представленной компанией Sony Computer Entertainment.
Интерфейс памяти Samsung XDR DRAM основан на разработках Rambus. Благодаря этому обеспечивается широкая совместимость с разнообразными требованиями по входным и выходным конфигурациям: компоненты будут доступны в версиях на 2, 4, 8 и 16 параллельных разрядов.
По оценке аналитической компании IDC, рынок компонент памяти XDR будет стабильно расти в течение ближайших четырех лет и достигнет в 2009 году эквивалентного объема в 800 миллионов 256-Мбитных модулей.
Источник: Samsung Electronics