Консорциум производителей полупроводниковых микросхем Sematech сообщает о достижении новых показателей подвижности носителей электрического заряда в транзисторах, созданных с использованием high-k диэлектриков (с высокой диэлектрической проницаемостью) под металлическими затворами. Согласно ожиданиям Sematech, последние достижения делают возможным использование high-k диэлектриков в КМОП-процессах с соблюдением 45-нм норм.
Напомним, что до недавних пор излюбленным материалом, используемым в качестве диэлектрика в полевых транзисторах, была двуокись кремния (кварц). Однако, при уменьшении размеров транзисторов был обнаружен ряд паразитных эффектов, связанных с тем, что увеличился ток утечки, а емкость уменьшилась, приводя к увеличению влияния флуктуаций заряда на проводимость транзистора. Диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью допускают большую толщину изолирующего слоя при той же или большей емкости затвора.
Одними из наиболее вероятных кандидатов на внедрение в качестве high-k материала являются соединения оксидов металлов с гафнием. Однако, проблемы интеграции таких материалов в производственный процесс не решены до сих пор.
Поэтому, сообщение Sematech об использовании нитрида титана (TiN) в качестве материала затвора на слое изолятора из силиката гафния (HfSiO) позволяет надеяться, что эти проблемы могут быть решены в обозримом будущем. Утверждается, что подвижность носителей заряда в затворе толщиной около 10 ангстрем составляет 90% от подвижности носителей заряда на универсальной кривой подвижности, определенной для кварца. Толщина и подвижность носителей заряда соответствуют спецификациям 45-нм технологических норм ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors).