Главная » Новости » 2005 » 04 » 21 21 апреля 2005

Новая структура материала позволила повысить скорость работы транзисторов

Транзисторы — полупроводниковые кирпичики, из которых построено здание всей современной электроники. Повышая скорость переключения базового элемента системы, которым является транзистор, можно увеличить скорость работы компьютеров, создать более производительные и надежные системы беспроводной связи, разработать эффективную электронику для военных применений. Поскольку традиционные технологии подошли к пределу скорости, над поиском новых путей ее повышения трудятся исследователи во всем мире.

Недавно мы рассказывали о транзисторах с «квантовой ямой». Ученые из Иллинойского университета смогли преодолеть барьер 600 ГГц, за счет использования в своем транзисторе новой структуры материала. По их словам, в пределах досягаемости — транзистор, работающий на частоте 1 терагерц.

Новый прибор, построенный из фосфида индия и арсенида галлия и индия, имеет "композиционно смешанный" коллектор, базу и эмиттер, что позволяет уменьшить время перехода и плотность тока. Используя свой биполярный транзистор с псевдоморфным гетеропереходом, исследователи продемонстрировали скорость 604 ГГц — рекордную на данный момент.

По словам профессора факультета электротехники и компьютерной техники, исследователя научно-исследовательской лаборатории в Иллинойсе, Милтона Фенга (Milton Feng), псевдоморфная структура материала позволила уменьшить ширину запрещенной энергетической зоны в выбранных областях. Таким образом, ускорился поток электронов, направленный в коллектор. Новая структура материала позволяет одновременно уменьшить плотность тока и время нарастания заряда. Фенг и аспирант Валид Хафез (Walid Hafez) создали новый полупроводниковый прибор в университетской лаборатории микро и нанотехнологии.

Как сказал Фенг, получение транзистора, работающего на такой высокой скорости невозможно с использованием традиционной структуры. В обычном биполярном гетеротранзисторе плотность тока была бы слишком высока и расплавила бы компоненты. По мнению ученого, новый псевдоморфный биполярный гетеротранзистор может достичь скорости 1 терагерц.

Источник: ZyXEL

13:07 21.04.2005
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.