Главная » Новости » 2005 » 04 » 13 13 апреля 2005

Freescale и Soitec улучшают технологии SOI

Североамериканская Freescale и французская Soitec распространили сообщение о совместной разработке, позволяющей улучшить показатели подвижности носителей заряда в КМОП (CMOS) микросхемах, изготовленных с использованием технологии «напряженного» кремния на изоляторе (strained silicon-on-insulator, sSOI) и соблюдением норм менее 65 нм.

Сообщается, что изготовленные по технологии sSOI 45-нм КМОП-транзисторы обладают подвижностью заряда, примерно на 70% большей, чем обычные КМОП-транзисторы. Утверждается также, что для элементов, чей размер не меньше 40 нм, релаксации (возврата в обычное состояние) напряженного кремния не наблюдается, что делает этот материал подходящим для коммерческого использования.

Совместную работу Soitec и Freescale (тогда еще Motorola SPS) начали два года назад. В реализованной компаниями технологии sSOI используется КМОП-процесс разработки Freescale и технологию Soitec Smart Cut.

11:17 13.04.2005
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ОПРОС Micromax

С какой периодичностью вы меняете смартфоны?
апрель
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.