Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства нового поколения памяти для серверов и рабочих станций – полностью буферизированных модулей (FB-DIMM), выполненных на микросхемах DDR2 SDRAM. Для повышения скорости обработки данных в FB DIM-модулях значительно увеличина плотность потока обрабатываемых данных регистровой памяти.
Реализованная на модулях микросхема AMB (advanced memory buffer) позволяет использовать одновременно высоко- и низкоскоростные интерфейсы. Пропускная способность буфера находится в пределах от 3,2 до 4,8 Гбит/с. Максимальная пропускная способность FB-DIMM от Samsung – 4,8 Гбит/с, что в два раза превышает скорость регистровых модулей памяти предыдущего поколения DDR2-400. До настоящего времени с увеличением частоты шины памяти уменьшалась частота обращений к слоту памяти. В архитектуре FB-DIMM этот недостаток устраняется организацией прямых соединений, которые позволяют нескольким модулям памяти быть соединенными последовательно для данного канала. Таким образом, пропускная способность канала теоретически может доведена до до 8 Гбит/с на канал, что в общем увеличивает пропускную способность до 32 Гбит/с при использовании 1 Гб модулей.
Напомним, что в середине января о начале поставок FB-DIMM уже сообщала американская Micron, японский конкурент корейской компании отправил заказчикам на тестирование новые модули памяти еще в декабре прошлого года. Немецкий поставщик памяти, Infineon, в момент представления собственных решений этого класса обещала начать поставки модулей во второй половине этого года. Так или иначе, но корейский производитель пока явно укладывается по срокам в собственные планы