По оценкам президента отделения памяти Samsung Electronics, средняя емкость мобильных устройств хранения информации, которяа удовлетворит пользователей, составит в 2007 году 100 Гб (почти в 5 раз больше, чем в настоящее время) — это обусловлено появлением устройств с широкими мультимедийными возможностями и увеличением их выпуска в ближайшие годы. Прогнозируя подобный рост спроса, некоторые тайваньские производители модулей DRAM (старающиеся диверсифицировать предлагаемый ассортимент именно флэш-накопителями) подписали с корейским производителем долгосрочные контакты на поставки микросхем NAND-флэш.
С 2001 года потребность пользователей в мобильных системах хранения данных выросла с 1 до 20 Гб — именно благодаря широкому распространению мобильных устройств, которые являются основным движителем роста рынка энергонезависимой памяти (в 2007 году на рынке сегмент портативных устройств, по оценкам специалистов, сравняется с сегментом ПК — в финансовых терминах). Говоря о рынке памяти, представитель Samsung отметил также, что именно сегмент энергонезависимой памяти покажет максимальный рост в ближайшие годы — в качестве примера был приведен рынок смартфонов. В этом году спрос на NAND-флэш на этом рынке вырастет на 21%, в то время как рост спроса на NOR-флэш составит только 8%, рост спроса на DRAM и SRAM будет оцениваться всего в 6%.
Было отмечено, что в число тайваньских компаний, пожелавших заключить долгосрочные контакты с корейским производителем и одновременно закрепиться на рынке флэш-памяти, вошли A-Data Technology, Transcend Information и Power Quotient International (PQI). Однако, объемы поставок микросхем до сих пор не определены, а цены микросхем будут определяться раз в месяц — других подробностей о сотрудничестве не называлось.