Корпорации Toshiba и SanDisk продемонстрировали выполненную по 70-нм технологии 8-Гбитную NAND flash-память объемом 1 Гб на конференции ISSCC в Сан-Франциско. Новая flash-память выполнена по технологии многоуровневых ячеек (MLC), которая позволяет хранить в одной ячейке два бита памяти, благодаря чему объем хранимой информации удваивается. Представители компаний также отметили, что при разработке были использованы специальные технологии дизайна, которые повели за собой увеличение размера микросхемы всего на 5 процентов по сравнению с предыдущим, 4-Гбитным поколением, выполненным по 90-нм технологии.
При площади 146 мм2 чип имеет плотность 6 млрд. бит, или 3 млрд. транзисторов на квадратный сантиметр (20 млрд. транзисторов на квадратный дюйм кремния). Скорость записи составляет 6 Мб/сек. Максимальная скорость чтения достигает 60 Мбит/сек., что на 40 процентов выше скорости предыдущего поколения.
Компании намерены начать производство устройств на основе новинки уже этим летом. В следующем году данное решение должно стать настоящей «рабочей лошадкой» для совместного предприятия двух компаний, значительно снизив общие издержки для устройств на основе flash-памяти.