Главная » Новости » 2005 » 02 » 13 13 февраля 2005

По следам ISSCC: NEC готовит 45-нм SRAM

В ходе конференции ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) было освещено множество вопросов, касающихся перспектив перехода на нормы выпуска полупроводниковых микросхем менее 90 нм. Разработчики из IBM, Samsung, Texas Instruments и Virage Logic сформулировали основные проблемы, стоящие на пути к внедрению 65-нм и 45-нм технологий статической оперативной памяти в массовое производство.

На первом месте по «проблемности» стоят ошибки, вызванные флуктуациями заряда (т. н. soft errors) – так как геометрические размеры элементов постоянно снижаются, уменьшается количество электронов, необходимых для создания потенциала, соответствующего уровню логической «1», поэтому ячейки SRAM становятся все более чувствительными к воздействию ионизирующего излучения (например, к альфа-излучению, безвредному для людей, т. к. оно почти на 100% поглощается в коже). Вторая основная проблема, стоящая перед разработчиками – ток утечки, растущий вместе с уменьшением толщины слоя диэлектрика.

Тем временем, NEC утверждает, что смогла создать SRAM, характеристики которой выглядят довольно многообещающе – есть надежда, что на ее основе можно будет дойти до норм 45 нм.

Источник: PC Watch

17:45 13.02.2005
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ВИКТОРИНА PATRIOT

Какие продукты, помимо компьютерной памяти, представлены в линейке Patriot – Viper Gaming?
февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.