Как мы уже сообщали, эффект плавающего напряжения на затворе транзистора (прим перев. floating-body effect – телом здесь называется материал под затвором, паразитный эффект, мешающий понижению рабочего напряжения полевых транзисторов) лег в основу технологии Z-RAM компании Innovative Silicon. А вчера на конференции ISSCC компания Toshiba сообщила о создании 128-Мбит чипов DRAM, использующих этот же эффект. Чипы Toshiba выпущены по технологии SOI (silicon-on-insulator, кремний-на-диэлектрике), но главное их применение – в качестве будущей встраиваемой памяти для систем-на-чипе.
Как сообщает Toshiba, такая память обладает временем доступа 18,5 нс. В отличие от обычной DRAM, использующей, грубо говоря, конденсаторы для хранения заряда, состояние новой памяти не разрушается при чтении, хотя возмущение все-таки происходит. Для описания свойств новой памяти инженеры компании предлагают термин «квази-деструктивная» (quasi-destructive).
DRAM Toshiba использует 6F2 (F=0,165) ячейки. Электрическое состояние «1» соответствует содержанию примерно 1000 электронных дыр в ячейке. За каждый такт количество дыр уменьшается на 1-2, так как столько же электронов попадают в слой между кремнием и оксидом, что приводит к рекомбинации дыр.
Для контроля состояния разработчики Toshiba использовали асимметричный модуль обратной связи, работающий в трех режимах: отключен для битов в состоянии «0», включен на полную мощность для записи «1» и включен на малую мощность для поддержания состояния «1».
Размер каждой ячейки, выполненной с соблюдением норм 90-нм техпроцесса, составляет примерно 0,17 кв. мкм (0,33х0,515 мкм). Размер чипа равен 7,6х8,5 мм.