Главная » Новости » 2005 » 02 » 04 4 февраля 2005

Объединение усилий Elpida и Ovonyx для создания памяти с фазовым переходом

Компания Elpida лицензирует у Ovonyx технологию производства энергонезависимой памяти на основе фазового перехода состояний. Ожидается, что память, созданная по новой технологии, сможет заменить собой текущий тип — DRAM. Данное лицензионное соглашение подразумевает полное содействие со стороны Ovonyx по работе над памятью нового образца.

Надо отметить, что Elpida не первая компания, лицензирующая эту технологию у Ovonyx. До нее это уже сделали  Intel и STMicroelectronics. Обе они пытались использовать обратимый процесс фазового перехода состояний из аморфного в кристаллическое состояние сплава сурьмы и германия. Соответствующее соглашение со стороны Intel было заключено с Ovonyx еще в феврале 2000 года, а  STMicroelectronics сделала это еще двумя месяацами раньше. Однако ни одна из компаний пока не достигла желаемого результата — попытки создания 4 Мбит чипов памяти  (ovonic unified memory) для Intel так и не увенчались успехом.

Elpida планирует использовать технологию фазового перехода состояний от Ovonyx для дальнейшего исследования и разработки новых особенностей памяти нового образца, которую выгодно будет отличать от DRAM высокая производительность и низкий уровень энергопотребления, что должно помочь при создании новых моделей мобильных устройств [телефонов, КПК, ноутбуков и др.]. Об этом сообщает Юко Сакамото (Yukio Sakamoto), — президент и исполнительный директор Elpida.

Правда, на сегодня компания не до конца выработала технологию и потому коммерциализация проекта еще даже не намечена .

Источник: EETimes

08:45 04.02.2005
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



февраль
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.