Главная » Новости » 2005 » 01 » 25 25 января 2005

Z-RAM: новая технология встраиваемой памяти

В прессе достаточно часто упоминается о новых технологиях энергонезависимой памяти, и возникает ощущение, что технологии обычной оперативной памяти (RAM) разработчики обделяют вниманием. Решив показать, что это не так, компания Innovative Silicon представила технологию Z-RAM, любопытную тем, что для записи информации в ней не используются конденсаторы, как это традиционно делается в DRAM.

Для записи и хранения бита данных используется эффект «плавающего тела» (floating-body), проявляющийся в микросхемах, выполненных по технологии SoI (silicon-on-insulator, кремний-на-диэлектрике). В результате, Z-RAM можно интегрировать в стандартный SoI CMOS (КМОП) процесс, причем размер ячейки Z-RAM примерно вполовину меньше, чем размер ячейки DRAM.

Утверждается, что Innovative Silicon разработала функционирующие 90-нм прототипы, обеспечивающие время чтения и записи 3 нс.

Скорее всего, Z-RAM на первых порах найдет применение в качестве встраиваемой памяти в системах-на-чипе. Благодаря неплохому быстродействию новой памяти, ее, скорее всего, также будут использовать в качестве кэш-памяти второго уровня (L2) во встраиваемых процессорах или в качестве L3-кэша в высокопроизводительных процессорах.

Источник: PC Watch

  • Теги:
11:28 25.01.2005
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



январь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2005

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.