Samsung Electronics, в рамках стратегии лидирования на рынке флэш-памяти намеревается в 2005 году увеличить выпуск этих микросхем (в терминах суммарной плотности) на 140%. Напомним, что, помимо этого, корейский производитель планирует представить и ряд новых решений, которые позволят укрепить позиции компании: монолитные 4 Гбитмикросхемы NAND-флэш, 8 Гбит микросхемы в 2006 году.
По словам вице-президента по продаже памяти в американском представительстве Samsung, Том Квин, отмечает, что основная цель усилий компании – не только сохранение лидерства в секторе NAND-флэш, но и выход на первое место на рынке флэш-памяти вообще. С другой стороны, стратегия корейского производителя означает, что флэш-память является основным фактором роста и технологического развития компании; вот, например, в секторе DRAM корейский производитель планирует увеличить выпуск (тоже в терминах суммарной плотности) всего на 50%. Ситуация достаточно двоякая: аналитики полагают, что темп роста Samsung в этом году будет выше, чем темп роста рынка памяти в целом, но при этом аналитики же прогнозируют сокращение секторов рынка памяти в 2005 году.
В 2003 году рынок DRAM оценивался в 16,7 млрд. долларов, рост в 2004 году составил 61,2% — до 26,9 млрд. долларов, а в 2005 году ожидается 14,7% спад – до 23 млрд. долларов. Новый этап роста начнется в 2006 году (9,4%, до 25,1 млрд. долларов), после чего в 2007 году продолжится (20%, до 30.1 млрд. долларов). Что касается рынка флэш-памяти, то в 2003 году он оценивался в 11,7 млрд. долларов, прогнозируемый темп роста (итоги еще не подведены) в 2004 году может составить 34,6% — до 15,8 млрд. долларов; в 2005 году рынок может снизиться на 1,8% — до 15,5 млрд. долларов. Начало роста совпадет с началом роста рынка DRAM – 3,2% — до 16 млрд. долларов в 2006 году, в 2007 году рост продолжится и составит 14,7% — рынок будет оцениваться в 18,3 млрд. долларов.