Уходящий год ознаменовался рядом событий, свидетельствующих о прогрессе в разработках технологий иммерсионной литографии с использованием источников когерентного излучения длиной волны 193 нм. Успехи разработчиков привели к тому, что многие наблюдатели уверены в неизбежности использования иммерсионных технологий для производства полупроводниковых микросхем с соблюдением норм 45-нм техпроцесса, но есть мнение и о том, что иммерсионные технологии могут быть применены и для выпуска чипов по 65-нормам.
Среди производителей, наиболее активно поддерживающих иммерсионные технологии – крупнейший контрактный производитель полупроводниковых микросхем TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.). Однако, TSMC отказалась от коммерческого производства чипов по 65-нормам, которое могло бы начаться через год, полагая, что вряд ли иммерсионные литографические инструменты будут готовы в срок для 65-нм норм. И это действительно так – поставщики оборудования ASML, Canon и Nikon очень длительное время не выпускали на рынок иммерсионных сканеров, предназначенных для производства, хотя у TSMC-то как раз такой инструмент уже имеется (Twinscan XT:1250i), в отличие от Albany NanoTech (выполнявшей исследование для IBM), сообщившей в августе об обработке 300-мм полупроводниковых пластин на «тестовом» Twinscan AT:1150i от ASML.
Тем не менее, в отличие от TSMC, IBM всерьез настроена на внедрение иммерсионных технологий для выпуска своих Power 4 по 65-нм нормам. В гонку за скорейшим внедрением иммерсионных технологий включился европейский консорциум IMEC, есть данные о том, что в Кремниевую Долину также отправляется иммерсионный сканер производства ASML, и наблюдатели уже даже начали высказывать предположения о том, что, возможно, напрасно TSMC не взяла 65-нм нормы в расчет для иммерсионных технологий. Впрочем, все это остается досужими вымыслами до тех пор, пока нет четких перспектив относительно экономической целесообразности перехода с «сухих» технологий на иммерсию.