Главная » Новости » 2004 » 12 » 17 17 декабря 2004

Intel готова к выпуску процессоров по 65-нм нормам

В заключительный день конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) Intel продемонстрировала участникам фотографии микропроцессоров, созданных с соблюдением норм 65-нм техпроцесса. В том числе был показан двуядерный микропроцессор, в котором некоторые «узнали» Yonah (решение для портативных систем).

Как пояснил Марк Бор (Mark Bohr), ведущий сотрудник научно-исследовательского центра Intel в Хиллсборо (Hillsboro), штат Орегон, компания успешно перешла от стадии изготовления тестовых микросхем SRAM по 70-нм нормам (это было сделано впервые чуть больше года назад, в ноябре 2003) к созданию по новой технологии пробных экземпляров микропроцессоров. Бор подтвердил, что один из представленных микропроцессоров выполнен по двуядерной архитектуре, но не стал углубляться в подробности, поэтому является ли он действительно прототипом Yonah, остается загадкой.

О Yonah упоминал в своей презентации Пол Отеллини (Paul Otellini) на сентябрьском IDF (Intel Developers Forum). Тогда же был показан компьютер, о котором утверждалось, что он работает на 65-нм версии Pentium 4. Таким образом, шансы на то, что Intel представит первые 65-нм процессоры в будущем году, очень велики, если, конечно, у компании опять что-нибудь не пойдет так, как это было в этом году.

Сообщается, что в 65-нм технологических процессах Intel используется второе поколение униаксиальных каналов напряженного кремния (uniaxial strained silicon channels) с высоким содержанием атомов германия в выборочно нанесенных слоях SiGe (в районах истока и стока полевых транзисторов PFET). Дополнительно, вместо нитрида кремния (SiN), примененного в 90-нм чипах, был использован карбид кремния (SiC), что, по словам Бора, позволило добиться лучшей проводимости внутренних соединений.

От себя же заметим, что возможность нанесения углерода на кремний вполне может оказаться полезной в будущем, когда зайдет речь об интеграции углеродных нанотрубок. Ведь на базе нанотрубок уже созданы транзисторы (см новость о Infineon), и уже известно, что к 2010 году на их базе могут появиться первые интегральные схемы. Так, по крайней мере, утверждала еще в прошлом году японская NEC, и, судя по всему, кроме нее, успеха в этом направлении также могут добиться Infineon и IBM.

Источник: Parasound

10:58 17.12.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



декабрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.