Компания Elpida Memory сообщила о завершении разработки 90-нм техпроцесса, который будет использоваться при выпуске DDR2 SDRAM. В частности, в пресс-релизе компании отмечено, что выпуск 512 Мбит и 1 Гбит компонентов DDR2 SDRAM начнется в 2005 году.
По оценкам специалистов компании, новый технологический процесс позволит увеличить «продуктивность компании» на 20%. На новых производственных линиях компании используется то же литографическое оборудование, что и на линиях, использующих 100-нм технологию – 248-нм сканеры, оптическая KrF литография. Использование дополнительного механизма оптической коррекции, OPC (Optical Proximity Correction) позволяет уменьшить физические размеры ячейки памяти на 90% при остающемся высоком уровне выхода годных чипов.
