Главная » Новости » 2004 » 11 » 24 24 ноября 2004

Toshiba, Renesas и Samsung: чьи стратегии в секторе NAND-флэш лучше?

Исследовательская компания Semiconductor Insights, известная своими «расследованиями» в сфере используемых техпроцессов, решила проанализировать NAND-флэш производства трех ведущих компаний, Samsung, Toshiba и Renesas. Как отмечают специалисты компании, несмотря на то, что поставщики микросхем преследуют две основные цели – увеличить плотность и повысить производительность, тем не менее, выбирают только одно направление для выработки собственной стратегии по оптимизации производства.

Отправной точкой обзора специалисты Semiconductor Insights называют попытку разработки компаниями решений серии «one-size-fits-all» (что-то вроде «унифицированные решения»); для того, чтобы быть конкурентным на рынке таких устройств, производители варьируют технологии (NAND или AND), архитектуры (SLC или MLC) и т.п. Основными целями таких «опытов» и является стремление повысить пропускную способность микросхем, увеличить их плотность, уменьшить размер кристалла, и, в конечном счете, снизить стоимость производства.

Из приведенной таблицы ясно, что Samsung явно придерживается стратегии повышения производительности своих микросхем. Toshiba же делает ставку на увеличение плотности микросхем. Основные различия в подходах двух компаний заключаются в использовании разных техпроцессов и архитектур (SLC у корейской компании и MLC у японского конкурента). Что касается Renesas, то компания пока не склоняется ни к одной из предложенных схем, в частности, производителем анонсированы микросхемы, «с высокой производительностью, при этом, высокой плотности», что вполне справедливо, если обратиться к данным таблицы.

Собственно, микросхемы производства Renesas как раз сейчас проходят тестирование. Если с точки зрения техпроцесса, ничем особенным решения не отличаются, то в плане повышения производительности компания предлагает «блочный подход», позволяющий одновременно программировать 4 блока. Фактически пропускная способность микросхем при записи составляет около 3,5 Мб/с, что является стандартным для 90-нм техпроцесса и MLC-архитектуры, но работа с 4 блоками позволяет повысить показатель до 10 Мб/с.

Специалисты SI считают, что в рынок NAND-флэш достигает критических размеров, и самый лучший подход для производителей – предложение микросхем высокой плотности для одних приложений и микросхем высокой производительности – для других. Дополнительный прирост производительности или плотности, не требуемых конечным решениям [использующим микросхемы] будет приводить только к увеличению стоимости конечной системы, что нежелательно для OEM-поставщиков. Как Toshiba, так и Samsung меняют стратегии, разбивая рынок на сегменты микросхем высокой плотности и высокой производительности, в результате корейский производитель сообщил о планах выпуска MLC-решений высокой плотности, в то время как японская компания сообщила о планах представления SLC-решений, выполненных по нормам 90-нм техпроцесса.

Источник: PC Watch

18:56 24.11.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



ноябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.