Поскольку архитектуры флэш-памяти NAND и NOR обладают как преимуществами, так и недостатками, у многих производителей возникло желание как-то их объединить: буквально день назад мы сообщали об архитектуре ORNAND, разрабатываемой Spansion. Об аналогичной разработке, объединяющей в себе преимущества NAND и NOR еще в прошлом году сообщала Samsung и вот, в ходе выставки Electronica 2004 в Мюнхене компания продемонстрировала продукт, в котором технологии OneNAND получили дальнешее развитие – микросхему OneNAND флэш-памяти емкостью 1 Гбит.
1-Гбит чип OneNAND флэш-памяти Samsung обеспечивает умопомрачительную скорость чтения – 108 Мб/с, и достаточно высокую скорость записи – 10 Мб/с. Эту микросхему Samsung позиционирует для использования в high-end сотовых телефонах – и не зря, ведь совсем недавно компания анонсировала телефонный аппарат, оснащенный 5-мегапиксельной камерой – вот кому большое количество памяти совсем не помешает.
Пару слов о технологии OneNAND. Эта технология развивает концепцию Unified Storage, реализованную следующим образом: микросхема поделена на три части – собственно флэш-память, построенную по архитектуре NAND, буферную память и модуль интерфейсной логики. Для взаимодействия чипа с внешним миром используется синхронный интерфейс, тактовая частота составляет 66 МГц, скорость чтения, как уже упоминалось выше – 108 Мб/с.
Дополнительно, в OneNAND встроен модуль защиты данных OTP, имеется возможность запрета использования выделенных блоков памяти.
Samsung рассчитывает выпустить на рынок как OneNAND сам по себе, так и в виде MCP-модулей (многочиповых микросхем), объединенных с SDRAM — специально для сотовых телефонов.