Как сообщает Silicon Strategies, компания Micron Technology прекратила НИОКР в области магнитной памяти и сомневается в целесообразности работ над памятью со сменой фазы – оба этих подхода используемые при разработке энергонезависимой памяти. Основной причиной отказа Micron от разработок называется то, что руководство компании не видит метода эффективного увеличения плотности микросхем в соответствии с законом Мура и, следовательно, не считает выпуск памяти, выполненной по этим технологиям, экономически обоснованным.
Вместо этого технический директор Micron, Марк Дуркан, отметил, что он видит потенциал в двух других технологиях, но в подробности вдаваться не стал. Однако, судя по данным, представленным Дурканом финансовым аналитикам в Лондоне, в ближайшее время в планах компании в качестве одного из перспективных направлений исследований может появиться нанокристаллическая флэш – вероятно, первые образцы памяти этого типа будут доступны в 2006 году.
В основе нанокристаллической флэш-памяти лежит улавливание заряда на гранях кристаллов тонкого слоя поликристаллического кремния, а не на плавающем затворе. Компания Motorola демонстрировала 4 Мбит массив такой памяти на 200-мм подложке, выполненный по 90-нм техпроцессу еще в марте прошлого года. Такая память с размером ячейки 4F2 является так сказать «ближайшим родственником» флэш с плавающим затвором, выпускаемой micron в настоящее время.
Micron будет стараться воспользоваться преимуществами небольшого размера ячеек памяти, как в случае DRAM с размером ячейки 6F2. Судя по всему, после 2010 года с появлением молекулярной NEMS памяти компания планирует представить решения с размером ячейки 2F2.
