Главная » Новости » 2004 » 10 » 27 27 октября 2004

Samsung демонстрирует 72 Мбит QDR II SRAM

Компания Samsung Electronics сообщила о завершении разработки 72 Мбит микросхем QDR II SRAM, высокопроизводительной памяти нового поколения, предназначенной для использования в сетевом оборудовании. Выпуск этих микросхем может рассматриваться как анонс компонентов SRAM самой высокой на текущий день плотности, поскольку максимальная плотность существующих компонентов QDR II SRAM составляет 36 Мбит.

Как отмечается в пресс-релизе, микросхемы способны выполнять операции с 4 потоками данных одновременно. Тактовая частота работы микросхем — 300 МГц, что на 20% выше, чем у существующих 36 Мбит компонентов. Компоненты способны за секунду обрабатывать данные, чей объем эквивалентен 9400 стандартных газетных страниц, что и позволяет позиционировать новинку как память для коммутаторов и маршрутизаторов новых поколений. Корпусировка микросхем FBGA, что позволяет экономить место при разводке печатной платы для них, до 30% по сравнению с TQFP. Серийное производство планируется на первую половину 2005 года.

В течение последних девяти лет Samsung лидирует на рынке SRAM, включая системную SRAM; в 2003 году доля компании составляла 33% этого рынка, что равно суммарной доле компаний, занимающих 2, 3 и 4 место в рейтинге производителей. Gartner Dataquest прогнозирует увеличение рынка 72 Мбит микросхем SRAM на 132% каждый год вплоть до достижения объёма в 800 миллионов долларов к 2008 году, так что у Samsung есть все основания, чтобы уверенно смотреть в будущее. Тем более, что компания начала работу над 144 Мбит компонентами QDR II и намеревается в будущем году увеличить свою долю на рынке SRAM для сетевых устройств до 50%.

18:17 27.10.2004
Оценить новость

Не работают комментарии или голосования? Читайте как почистить куки



октябрь
Пн
Вт
Ср
Чт
Пт
Сб
Вс
2004

Нашли ошибку на сайте? Выделите текст и нажмите Shift+Enter

Код для блога бета

Выделите HTML-код в поле, скопируйте его в буфер и вставьте в свой блог.